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摘要来源：
j j j biomed phys eng。 2016年3月; 6（1）：41-6。 Epub 2016 3月1日。PMID： 27026954 27026954 Zarei，S M J Mortazavi
文章隶属关系：GH Mortazavi
摘要：根据世界卫生组织（WHO）的说法，诸如不断增长的电力需求，不断增强的技术和社交行为的变化等因素导致对人工电磁领域的暴露稳步增加。 牙科汞合金填充物是主要来源在普通人群中暴露于元素汞蒸气的情况。尽管以前认为低水平是汞（I.G.从牙科汞合金中释放汞）并不是危险，但现在许多数据表明，即使是非常低剂量的汞也会导致毒性。有证据表明，围产期接触汞与发育障碍（例如自闭症谱系障碍（ASD）和注意力缺陷多动障碍（ADHD））的风险增加显着相关。此外，汞可以降低大脑中神经递质多巴胺，5-羟色胺，脱甲肾上腺素和乙酰胆碱的水平，并引起神经系统问题。另一方面，在某些研究中发现了母体和脐带血汞水平之间的牢固正相关。我们先前已经表明，通用手机发出的MRI或微波辐射的暴露会导致牙齿汞合金填充物从汞中释放的增加。而且，当我们进来时我们以前的发现证实了MRI计算机具有更强的磁场的影响。由于在我们先前的研究中发现了Exposureto电磁场和汞水平之间的密切关联，我们的发现可能会使我们得出这一结论，即母亲暴露于牙科汞齐填充物的母亲中电磁场可能会导致汞水平升高并触发自闭症率的增加。需要进一步的研究，以更好地了解接触电磁场后汞水平的可能作用以及后代中自闭症谱系障碍的速度。