由急性电磁场暴露引起的自发低频振荡的改变。
摘要来源：
临床神经性。 2013年9月4日。epub 2013年9月4日。PMID：摘要作者： bin lv，Zhiye Chen，Tongning Wu，Qing Shao，Yan，Lin MA，Lin MA，Ke Lu，Yi Xie
OBJECTIVE: The motivation of this study is to evaluate the possible alteration of regional resting state brain activity induced by the acute radiofrequency electromagnetic field (RF-EMF) exposure (30min) of Long Term Evolution (LTE)信号。
方法： 我们设计了C可在近场的LTE RF-EMF暴露环境。十八位受试者参加了一个双盲，跨界，随机和平衡的实验，包括两个会议（实际和假曝光）。辐射源靠近右耳。然后在两种情况下暴露之前和之后收集了人脑的静止状态fMRI信号。我们测量了低频波动（ALFF）和分数ALFF（FALFF）的幅度，以表征自发性的大脑活动。
结果： 我们发现，我们在左中间的左上gyrus和左时距离左上的高级距离左上距离左上距离左上距离左上距离左右，右上是右上角和右上角。实际暴露后的中心小叶。在右侧额叶和右侧室小叶中也检测到Falff值下降的值。
显着性： ，我们在休息状态下，我们发现了自发的低频频率变化的变化。曝光。