低剂量电离辐射似乎会增加人类乳腺上皮细胞的癌性表型

电离辐射促进变异人类乳腺上皮细胞生长：体外研究支持的基于药物的模型。

乳腺癌研究中心。 2010；12(1)：R11。 Epub 2010 年 2 月 10 日。PMID：20146798

Rituparna Mukhopadhyay、Sylvain V Costes、Alexey V Bazarov、William C Hines、Mary Helen Barcellos-Hoff、Paul Yaswen

生命科学部，劳伦斯伯克利国家实验室，伯克利，CA 94720，美国。

< span class="sub_abstract_label">简介：大多数人乳腺上皮细胞 (HMEC) 培养自组织学上正常的乳腺组织在 5 至 20 次群体倍增后进入称为停滞的衰老状态。这些衰老细胞的大小增加，含有衰老相关的 β-半乳糖苷酶活性，并表达细胞周期蛋白依赖性激酶抑制剂，P16INK4A（CDKN2A; p16）。但是，HMEC在无血清培养基中生长，自发产量，低频，变体（V）HMEC，能够长期生长，并且容易受到基因组不稳定性的影响。我们调查了增加女性乳腺癌风险的电离辐射是否会影响VHMEC生长的速度。

方法： pre -STASIS HMEC培养物暴露于5至200 CGY的稀疏（X-或Gamma射线）或密集（1 GEV/AMU 56FE）电离辐射。增殖（溴脱氧尿苷掺入），衰老（与衰老相关的β-半乳糖苷酶活性）和p16表达在辐射暴露后四到六个星期中在亚培养的辐照或未射线培养的种群中分析，当时VHMEC的斑块变得明显。还监测了在随后的通道中的长期增长潜力和p16启动子甲基化。基于代理的建模，合并一组简单的规则和基础假设离子用于模拟VHMEC的生长并评估机械假设。

结果： 培养物中包含的VHmec含量更大。与未辐照细胞衍生的培养物相比，缺乏衰老相关的β-半乳糖苷酶或p16表达。不出所料，源自未辐照和辐照的细胞的Stasis后VHMEC培养物表现出比Stasis HMEC培养物更广泛的p16基因甲基化。但是，VHMEC样品中单个CpG位点的甲基化程度与通过数量或处理无关。与非辐照对照相比，VHMEC数量的稀疏或密集电离辐射的暴露会引起类似的增加。基于代理的建模表明，辐射引起的正常HMEC的过早衰老最有可能通过减轻空间约束而加速VHMEC的生长。随后使用定义的共文化实验vHMEC 和衰老细胞的结果支持了这一机制。

结论：我们的研究表明，电离辐射可以促进表观遗传的生长具有癌前潜能的改变细胞。