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降低氘水平支持神经元对葡萄糖剥夺和缺氧的抵抗力：神经元培养等方面的研究动物。
摘要来源：分子。 2021 年 12 月 31 日；27(1)。 Epub 2021 年 12 月 31 日。PMID：35011474
摘要作者：Alexandr Kravtsov、Stanislav Kozin、Alexandr Basov、Elena Butina、Mikhail Baryshev、Vadim Malyshko、Arkady Moiseev、Anna Elkina、Stepan Dzhimak
文章归属：Alexandr Kravtsov
摘要：培养介质中氘 (D) 含量降低对研究了体外培养的神经元在葡萄糖剥夺下的存活情况。此外，我们研究了大鼠脑中氘含量减少对氧化过程的影响。在缺氧条件下，在神经组织中，其抗氧化剂保护和T形迷宫测试中的大鼠训练。对于神经元培养的实验，使用了7-8天的小脑神经元培养物。使用碘化丙啶确定培养物中神经元死亡的率。通过将其放置在约1 L的密封血管中，在大鼠中模拟了急性缺氧。通过过氧化氢酶的活性评估了对大脑抗氧化剂系统的影响。 T迷宫中的研究是根据普遍接受的方法进行的，在阳性加固上开发了交替的右侧和左侧环的技能。这项工作表明，在孵育培养基中的氘含量降低到-357‱的水平，具有神经保护作用，增加了SUR葡萄糖剥夺条件下培养的神经元的存活率。当暴露于缺氧时，大鼠大脑中的氘含量初步降低至-261‱，防止其神经组织中氧化应激的发展，并使动物在T形迷宫测试中的学习能力保持在对照水平团体。通过消耗 DDW 改变体内的 H/H 内部环境，产生类似的保护作用，可用于预防与氧化应激发展和中枢神经系统损伤相关的病理状况。