语音病因学中一个具有挑战性的问题：孕产妇对电磁场的暴露对后代中语音问题的影响。
摘要来源：
< P> J BioMed Phys Eng。 2015年9月; 5（3）：151-4。 EPUB 2015 9月1日。PMID： 26396971
摘要作者：s Zarei，S M J Mortazavi，A R Mehdizadeh，M Jalalipour，S Borzou，S Borzou，S Taeb，M Haghani，M Haghani，S A R Mortazavi，M B Shojaei-Fard，Snematollahi，Snematollolahi，n alirghanbari，s jareideh，s Jareideh，
文章隶属关系：s zarei
摘要：
背景： 如今，母亲不断暴露于不同的来源电磁场之前甚至怀孕期间的电磁场。 最近已经证明接触手机RAD怀孕期间的过度活动可能会对后代的大脑发育产生不利影响并导致多动症。研究人员表明，实验动物出现与 ADHD 类似的行为问题是由宫内接触手机引起的。
目标： 本研究的目的是调查母亲暴露于不同电磁场源是否会影响其后代言语问题的发生率和严重程度。
方法：在这项研究中，35 名健康 3-5 岁儿童的母亲（对照组）和 77 名被转诊至言语治疗中心并被诊断患有言语问题的儿童的母亲在伊朗设拉子接受采访。这些母亲被问及是否接触过不同的电磁场源，例如手机、移动基站、Wi-Fi、无绳电话、笔记本电脑和电源线。
结果： 我们发现了呼叫时间（p = 0.002）或移动历史记录之间的显着关联在后代中使用电话（使用的月）和语音问题（p = 0.003）。但是，其他暴露对语音问题的发生没有影响。据我们所知，这是首次研究母体接触电磁场和后代语音问题之间可能关联的研究。尽管我们研究中的主要局限性是样本量相对较小，但这项研究表明，孕产妇暴露于电磁场的常见来源（例如移动电话）可能会影响后代中语音问题的发生。