文章发布状态：免费摘要标题：
660 nm 二极管激光疗法对复发性口疮的疼痛、大小和功能障碍的临床评估口腔炎。
摘要来源：开放获取 Maced J Med Sci。 2019 年 5 月 15 日；7(9):1516-1522。 Epub 2019 年 5 月 14 日。PMID：31198466
摘要作者：Hisham Abdelmonem Soliman、Diana Mostafaa
文章隶属关系：Hisham Abdelmonem Soliman
摘要：背景：轻微复发性口疮性口炎 (MiRAS) 是最常见的复发性口疮之一和疼痛的粘膜病理状况。其特点是圆形或浅椭圆形溃疡，直径小于10毫米，周围有薄薄的红斑晕。它涉及非角化粘膜，例如l唇部和颊部粘膜、舌的腹侧表面或边缘以及口底，但在角化粘膜上不常见。 10-14天内自然愈合，不留疤痕。没有治愈方法可以防止其复发；此外，现有的治疗方法只能减轻症状和病变的严重程度。
目的：由于这些病变可能会非常疼痛，我们决定在 MiRAS 上评估使用 660 nm 二极管激光的低能量激光疗法的镇痛和治疗特性。
材料与方法：从亚历山大大学牙科学院口腔科门诊随机抽取20名患有轻微口疮性溃疡的健康患者。他们被平均分为两组，研究组接受 660 nm 二极管激光照射，对照组接受安慰剂（s碳酸氢钠冲洗）。比较各组之间的视觉模拟量表、尺寸缩小、有效性指数和功能障碍。
结果：两组均呈现从基线到随访期有统计学上的显着差异。但是，二极管激光 660 nm 治疗在减少愈合时间、疼痛和病变大小方面显示出更显着的改善。
结论：我们的结论是，二极管激光 660 nm 应进一步考虑作为复发性口疮性口炎患者的有效替代治疗方案。