暴露于极低频电磁场对雄性大鼠空间和被动回避学习记忆、焦虑样行为和氧化应激的影响。
摘要来源：行为脑研究。 2019年02月1日；359:630-638。 Epub 2018 年 10 月 2 日。PMID：30290199
摘要作者：Seyed Asaad Karimi、Iraj Salehi、Teimor Shykhi、Samad Zare、 Alireza Komaki
文章归属：Seyed Asaad Karimi
摘要：关于极低频电磁场（ELF-EMF）对身体健康和认知能力的安全性存在许多争议。在本研究中，我们探讨了 ELF-EMF 对大鼠氧化应激和行为的影响。 72只成年雄性Wistar大鼠随机分为对照组、假暴露组和ELF-EMF暴露组（1μT、100μT、500μT和2000μT）。 60 天后姿势（2小时/天）、高架十字迷宫（EPM）、莫里斯水迷宫（MWM）和被动回避学习（PAL）任务分别用于评估焦虑样行为、空间和被动学习和记忆。行为检查几天后，测量了氧化应激标记物。在空间参考记忆测试中，ELF-EMF 暴露组（100 和 2000 μT）的动物在目标区域停留的时间更长（F (4, 55) = 5.699，P = 0.0007，单向方差分析）。在 PAL 保留方面，ELF-EMF 暴露组（100,500 和 2000 μT）的保留测试（STLr）中的逐步潜伏期显着大于对照组（F (4, 55) = 29.13，P < 0.0001，One-方式方差分析）。在 EPM 测试中，ELF-EMF 暴露（500 和 2000 μT）降低了进入张开臂的百分比（F (4, 55) = 26.31，P < 0.0001，单向方差分析）。 ELF-EMF 暴露（100 和 500 μT）增加丙二醛 (MDA) 浓度（F (4, 25) = 79.83，P < 0.0001，单向方差分析）。我们的结果也许可以得出结论n 暴露于 ELF-EMF 可以改善成年雄性大鼠的记忆保留（但不能获得）。尽管暴露于 ELF-EMF 可能是导致焦虑状态或氧化应激的一个因素。